onsemi FDC637BNZ
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2007-10-29
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
InfineonIRLMS6802TRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -20V;RDS(ON) 0.05Ohm;ID -5.6A;Micro6 (SOT-23);PD 2W
Diodes Inc.DMN2028UVT-7
1.2W(Ta) 8V 1.5V@ 250¦ÌA 8.3nC@ 4.5 V 1N 20V 24m¦¸@ 6.2A,4.5V 6.2A 856pF@10V TSOT-23-6
Descrições
Descrições de onsemi FDC637BNZ fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 2.5V Specified, 20V, 6.2A, 24mΩ
TAPE REEL/20V, 6.2A, 24 m ohm,NCH SPECIFIED POWER TRENCH MOSFET
1.6W(Ta) 12V 1.5V@ 250¦ÌA 12nC@ 4.5V 1N 20V 22m¦¸@ 10V 4.2A 895pF@10V 2.9mm*1.6mm*1mm
MOSFET, N CHANNEL, 20V, 0.021OHM, 6.2A, SUPERSOT-6
Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin SuperSOT T/R
Avnet Japan
MOSFET, N CH, 20V, 0.021OHM, 6.2A, SUPER
Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 20V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
This N-Channel 2.5V specified MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance.These devices have been designed to offer exceptional power dissipation in a very small footprint compared with bigger SO-8 and TSSOP-8 packages.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-6
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight36 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance24 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance895 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.6 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs800 mV
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation800 mW
Rds On Max24 mΩ
Resistance24 MΩ
Rise Time6 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage800 mV
Turn-Off Delay Time22 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade