onsemi FDC5661N-F085
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NRND
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | FDC5661N-F085 | 48.000 | 5K | 20h | ||||||||
| Future Electronics | FDC5661N-F085 | 6.000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Newark | FDC5661N-F085 | 3.057 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Rochester Electronics | FDC5661N-F085 | 63.729 | 18h | |||||||||
| Verical | FDC5661N-F085 | 55 | 30 |
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 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | Pegada | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China, Malaysia, Philippines, Thailand, Vietnam
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-12-12
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 5 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE, NOT REC (Last Updated: 5 days ago)
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ZXMP6A17E6Q Series 60 V 2.3 A P-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-6
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Power MOSFET, P Channel, 60 V, 7.3 A, 0.105 ohm, TSOT-26, Surface Mount
Descrições
Descrições de onsemi FDC5661N-F085 fornecidas pelos seus distribuidores.
60V, 4A, 50M Ohm, N-Channel Logic Level Powertrench Mosfet/Tape Reel |Onsemi FDC5661N_F085
TRANSISTOR, MOSFET, N-CHANNEL, LOGIC LEVEL, 60V, 4A, 60MOHM, UIS CAPABILITY
Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-6
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight36 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance47 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time3.1 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance763 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.6 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation1.6 W
Rds On Max47 mΩ
Rise Time1.6 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time19.3 ns
Turn-On Delay Time7.2 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade