onsemi FDC2612
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2001-07-16
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
STMicroelectronicsSTT6N3LLH6
N-channel 30 V, 0.021 Ohm, 6 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in SOT23-6L package
InfineonIRLMS1503TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.1Ohm;ID 3.2A;Micro6 (SOT-23);PD 1.7W;-55de
InfineonIRLMS5703TRPBF
-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSOP-6 (Micro 6) package, TSOP6L, RoHS
Descrições
Descrições de onsemi FDC2612 fornecidas pelos seus distribuidores.
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,200V V(BR)DSS,1.1A I(D),TSOP
Trans MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-Pin TSOT-23 T/R / MOSFET N-CH 200V 1.1A SSOT-6
N-Channel PowerTrench® MOSFET 200V 1.1A, 725mΩ
MOSFET, N CH, 200V, 1.1A, SOT-23-6; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 1.1A; Drain Source Voltage Vds: 200V; On Resistance Rds(on): 0.605ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: 1.6W; Transistor Case Style: SOT-23; No. of Pins: 6Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS(ON) and fast switching speed.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-6
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight36 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.1 A
Current Rating1.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance725 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance234 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation800 mW
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation800 mW
Rds On Max725 mΩ
Resistance725 MΩ
Rise Time6 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time17 ns
Turn-On Delay Time6 ns
Voltage Rating (DC)200 V
Dimensions
Height1.1 mm
Length3 mm
Width1.7 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade