onsemi FDBL0260N100
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Descrições
Descrições de onsemi FDBL0260N100 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 100V, 200A, 2.6mΩ
Transistor MOSFET N-CH 100V 200A 8-Pin MO-299A T/R
Avnet Japan
Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 100V, 0.0026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-299A
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Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -0.30%
Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals2
Weight850.0521 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)200 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance2.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)100 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance9.265 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation250 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.5 W
Rds On Max2.6 mΩ
Turn-Off Delay Time47 ns
Turn-On Delay Time26 ns
Dimensions
Height2.5 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Declarações de conformidade