onsemi FDB8870-F085
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2008-07-09
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2009-11-04
LTD Date2010-05-04
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
InfineonIRL7833SPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 3.1Milliohms;ID 150A;D2Pak;PD 140W;VGS +/-2
InfineonIRL3713STRLPBF
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STMicroelectronicsSTB155N3LH6
N-channel 30 V, 0.0024 Ohm, 80 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in D2PAK package
Descrições
Descrições de onsemi FDB8870-F085 fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 30V 23A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 30V, 160A, 3.9mΩ
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 30V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low rDS(ON) and fast switching speed.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
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Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)23 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance4.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time47 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.2 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation160 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation160 W
Rds On Max3.9 mΩ
Rise Time98 ns
Turn-Off Delay Time75 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade