onsemi FDB86363-F085
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2014-06-04
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 23 hours ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 23 hours ago)
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onsemiFDB86360-F085
FDB86360 Series 80 V 110 A 1.8 mOhm N-Ch Power Trench Mosfet - D²PAK (TO-263AB)
STMicroelectronicsSTH170N8F7-2
N-channel 80 V, 0.0028 Ohm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 package
Descrições
Descrições de onsemi FDB86363-F085 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 80V, 110A, 2.4mΩ
Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
N-Channel 80 V 110 A 2.4 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet TO-263AB
Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 80V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, AEC-Q101, NCH, 110A, 80V, TO-263; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 110A; Drain Source Voltage Vds: 80V; On Resistance Rds(on): 0.0038ohm; Rds(on) Test; Available until stocks are exhausted
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -19.66%
Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)110 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance2.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time40 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance10 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation300 W
Rds On Max2.4 mΩ
Rise Time129 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time64 ns
Turn-On Delay Time38 ns
Dimensions
Height5.08 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade