onsemi FDB2572
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2002-05-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
InfineonIRFS5615TRLPBF
Digital Audio 150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Descrições
Descrições de onsemi FDB2572 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 29A, 54mΩ
N-Channel 150 V 54 mohm Surface Mount PowerTrench Mosfet - TO-263AB
Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
TAPE REEL/TO-263AB, SINGLE, N-CH, 150V, 57MOHM ULTRAFET TRENCH MOSFET
onsemi NMOS PowerTrench, Vds=150 V, 29 A, D2PAK (TO-263), , 3
MOSFET N-Channel 150V 4A D2PAK
RS APAC
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 150V, 0.054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO263AB
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -0.89%
Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)4 A
Current Rating29 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance54 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time14 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.77 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation135 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation135 W
Rds On Max54 mΩ
Resistance54 MΩ
Rise Time14 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time31 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Voltage Rating (DC)150 V
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.67 mm
Width11.33 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade