onsemi FDB20AN06A0
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Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2003-07-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 7 months ago)
LTB Date2011-09-14
LTD Date2012-03-14
Peças relacionadas
InfineonAUIRFS3806
Automotive Q101 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
onsemiHUFA75329S3ST
128W(Tc) 4V@ 250µA 75nC@ 20V 1individualNChannel 55V 24mΩ@ 49A,10V 1.06pF@25V D2PAK SMD mount
InfineonIRFZ44NSPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 17.5 Milliohms;ID 49A;D2Pak;PD 94W;VGS +/-20
InfineonIRFZ46ZSPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 10.9 Milliohms;ID 51A;D2Pak;PD 82W;VGS +/-20
Descrições
Descrições de onsemi FDB20AN06A0 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 45A, 20mΩ
Trans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
90W(Tc) 20V 4V@ 250µA 19nC@ 10V 1individualNChannel 60V 20mΩ@ 45A,10V 45A 950pF@25V TO-263AB SMD mount 10.67mm*9.65mm*4.83mm
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Current Rating45 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance20 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time33 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance950 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation90 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation90 W
Rds On Max20 mΩ
Rise Time98 ns
Turn-Off Delay Time23 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade