onsemi FDB120N10
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2009-06-13
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 6 days ago)
LTB Date2026-01-01
LTD Date2026-07-01
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)
Peças relacionadas
InfineonIRF2807ZSTRLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 75V;RDS(ON) 7.5Milliohms;ID 75A;D2Pak;PD 170W;VGS +/-20
STMicroelectronicsSTB80NF10T4
N-Channel 100V - 0.012Ohm - 80A - D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET(TM) MOSFET
STMicroelectronicsSTB75NF75LT4
N-Channel 75V - 0.009Ohm - 75A - D2PAK StripFET(TM) II POWER MOSFET
Descrições
Descrições de onsemi FDB120N10 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 74A, 12mΩ
170W(Tc) 20V 4.5V@ 250¦ÌA 86nC@ 10 V 1N 100V 12m¦¸@ 74A,10V 74A 5.605nF@25V D2PAK,TO-263 5.08mm
Power Field-Effect Transistor, 74A I(D), 100V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)74 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance12 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.605 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation170 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation170 W
Rds On Max12 mΩ
Rise Time105 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time39 ns
Turn-On Delay Time27 ns
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade