onsemi FDB0260N1007L
$ 5.048
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | FDB0260N1007L | 679 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Rochester Electronics | FDB0260N1007L | 2.285 | 5h | |||||||||
| DigiKey | FDB0260N1007LCT-ND | 169 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Onlinecomponents.com | FDB0260N1007L | 0 | 200 | Bulk | ||||||||
| Future Electronics | FDB0260N1007L | 0 | 800 | Tape & Reel |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-03-11
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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N CH POWER MOSFET. HEXFET, 75V, 260A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Cont
Descrições
Descrições de onsemi FDB0260N1007L fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 200A, 2.6mΩ
Transistor MOSFET N-CH 100V 200A 7-Pin TO-263 T/R
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB0260N1007L MOSFET Transistor, N Channel, 200 A, 100 V, 0.0023 ohm, 10 V, 2.8 VNew
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This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advance PowerTrench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior ruggedness and switching performance for industrial applications.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-263-7
MountSurface Mount
Number of Pins7
Number of Terminals6
Weight1.312 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)200 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance2.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance8.545 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation250 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.8 W
Rds On Max2.6 mΩ
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.8 V
Turn-Off Delay Time51 ns
Turn-On Delay Time30 ns
Dimensions
Height4.9 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade