onsemi FDB0190N807L
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | FDB0190N807L | 800 | 108 | |||||||||
| Arrow Electronics | FDB0190N807L | 585 | 1 | |||||||||
| Future Electronics | FDB0190N807L | 42.400 | 800 | Tape & Reel | ||||||||
| Rochester Electronics | FDB0190N807L | 825 | 6h | |||||||||
| DigiKey | FDB0190N807LCT-ND | 870 | 1 | Cut Tape |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 SnapEDA | Pegada | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2016-03-11
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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InfineonIRFS7730-7PPBF
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak 7-Lead package, D2PAK7P, RoHS
Descrições
Descrições de onsemi FDB0190N807L fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel PowerTrench® MOSFET 80V, 270A, 1.7mΩ
FDB0190 Series 80 V 270 A 1.7 mOhm N-Channel PowerTrench Mosfet - D²PAK-7
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB0190N807L MOSFET Transistor, N Channel, 270 A, 80 V, 0.0013 ohm, 10 V, 2.9 VNew
Power Field-Effect Transistor, 270A I(D), 80V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263CB
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This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advance PowerTrench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior ruggedness and switching performance for industrial applications.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-263-7
MountSurface Mount
Number of Pins7
Number of Terminals6
Weight1.312 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)270 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance1.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance19.11 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation250 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.8 W
Rds On Max1.7 mΩ
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.9 V
Turn-Off Delay Time98 ns
Turn-On Delay Time60 ns
Dimensions
Height4.9 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade