onsemi FCH130N60
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2014-05-26
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 week ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)
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Descrições
Descrições de onsemi FCH130N60 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, FAST, 600V, 28A, 130mΩ, TO-247
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 600V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AB
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SuperFET® II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET II MOSFET is suitable for various AC/DC power conversion for system miniaturization and higher efficiency.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.39 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)28 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance130 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.59 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation278 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation278 W
Rds On Max130 mΩ
Rise Time16 ns
Turn-Off Delay Time65 ns
Turn-On Delay Time25 ns
Dimensions
Height24.75 mm
Length15.87 mm
Width4.82 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade