onsemi FCB070N65S3

Name: onsemi FCB070N65S3
Brand: onsemi
SKU: FCB070N65S3

N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® III, Easy Drive, 650 V, 44 A, 70 mΩ, D2PAK

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	FCB070N65S3	16.921	235							1d
Newark	2	FCB070N65S3	156	1	Cut Tape	8,780	6,430	5,200	5,130	4,940
Arrow Electronics		FCB070N65S3	710	1		3,938	3,876	3,753	3,629	3,629
Verical		FCB070N65S3	710	2			3,876	3,753	3,629	3,629
DigiKey	3	FCB070N65S3CT-ND	2.670	1	Cut Tape	8,370	5,681	4,162	4,162	4,162

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Descrições

Descrições de onsemi FCB070N65S3 fornecidas pelos seus distribuidores.

N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® III, Easy Drive, 650 V, 44 A, 70 mΩ, D2PAK

onsemi

MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK / N-Channel 650 V 44A (Tc) 312W (Tc) Surface Mount D2PAK (TO-263)

Win Source

Power Field-Effect Transistor, 44A I(D), 650V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263

Semicontronic

MOSFET, N-CH, 650V, 44A, TO-263-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 44A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.062ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4.5V; Power Dissipation Pd: 312W; Transistor Case Style: TO-263; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: SuperFET III Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: Lead (27-Jun-2018)

Farnell

SuperFET® III MOSFET is Fairchild Semiconductor’s brandnew high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This advancetechnology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dtrate. Consequently, SuperFET III MOSFET is very suitable for various power system for miniaturization and higher efficiency.

Fairchild Semiconductor

Imagens

Farnell

TME

Future Electronics

Nomes alternativos do fabricante

onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

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Especificações técnicas

Physical

Case/PackageD2PAK

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Weight1.31247 g

Technical

Continuous Drain Current (ID)44 A

Drain to Source Breakdown Voltage650 V

Drain to Source Resistance70 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)650 V

Element ConfigurationSingle

Gate to Source Voltage (Vgs)30 V

Input Capacitance3.09 nF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation312 W

Min Breakdown Voltage650 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

Power Dissipation312 W

Rds On Max70 mΩ

Schedule B8541290080

Threshold Voltage4.5 V

Turn-Off Delay Time89 ns

Turn-On Delay Time26 ns

Dimensions

Height4.83 mm

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Conformidade

Classificação ambiental

China RoHSNon-Compliant

REACH SVHCNo

RoHSCompliant

Declarações de conformidade

Rohs Statement3 páginas5 anos atrás

Reach Statement8 páginas11 anos atrás

Rohs Statement1 páginas12 anos atrás

Rohs Statement1 páginas14 anos atrás

Reach Statement2 páginas13 anos atrás

Rohs StatementN/AN/A