onsemi BSS123L

Name: onsemi BSS123L
Brand: onsemi
SKU: BSS123L

Power MOSFET 170 mA, 100 V, N-Channel SOT-23

$ 0.063

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	3	BSS123L	42.000	3K						0,022	13h
Newark	3	BSS123L	13.055	1	Cut Tape	0,252	0,252	0,101	0,074	0,074
Arrow Electronics	2	BSS123L	17.100	1		0,183	0,182	0,181	0,180	0,179
Verical	4	BSS123L	36.000	3K						0,019
Future Electronics	2	BSS123L	3.000	3K	Tape & Reel					0,031

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onsemi

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Descrições

Descrições de onsemi BSS123L fornecidas pelos seus distribuidores.

Power MOSFET 170 mA, 100 V, N-Channel SOT-23

onsemi

N-Channel 100 V 6 O 2.5 nC Logic Level Enhancement Mode Mosfet - SOT-23

Future Electronics

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB

Semicontronic

This N-channel enhancement mode field effect transistor is produced using high cell density, trench MOSFET technology. This product minimizes on-state resistance while providing rugged, reliable and fast switching performance. This product is particularly suited for low-voltage, low-current applications such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers, logic level transistor, high speedline drivers, power management/power supply and switching applications.

Fairchild Semiconductor

Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) mA = 170 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) Ohm = 10 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 5 / Rise Time ns = 18 / Turn-OFF Delay Time ns = 31 / Turn-ON Delay Time ns = 3.4 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SOT-23 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) mW = 360

Distrelec

Imagens

Rochester Electronics

Nomes alternativos do fabricante

onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Números alternativos de peça

Esta peça pode ser conhecida por estes números alternativos de peça:

BSS123L.

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Especificações técnicas

Physical

Case/PackageSOT-23-3

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight30 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)170 mA

Drain to Source Breakdown Voltage100 V

Drain to Source Resistance6 Ω

Drain to Source Voltage (Vdss)100 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time5.6 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance21.5 pF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation360 mW

Min Breakdown Voltage100 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

PackagingTape & Reel (TR)

Power Dissipation225 mW

Rds On Max6 Ω

Rise Time1.7 ns

Schedule B8541210080

Threshold Voltage1.6 V

Turn-Off Delay Time5.9 ns

Turn-On Delay Time2.2 ns

Dimensions

Height1.11 mm

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Conformidade

Classificação ambiental

China RoHSCompliant

REACH SVHCYes

RoHSCompliant

Declarações de conformidade

Rohs Statement3 páginas5 anos atrás

Reach Statement8 páginas11 anos atrás

Rohs Statement1 páginas12 anos atrás

Rohs Statement1 páginas14 anos atrás

Reach Statement2 páginas13 anos atrás

Rohs StatementN/AN/A