onsemi BC859BLT3G
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2
2
Mount
Surface Mount
-
Case/Package
SOT-23-3
SOT-23-3
Polarity
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
-30 V
-
Max Collector Current
100 mA
100 mA
Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
-650 mV
-650 mV
hFE Min
220
220
Power Dissipation
225 mW
-
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1996-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2010-03-31
LTD Date2010-09-30
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
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DDTA143ZA Series 50 V 100 mA PNP Surface Mount Digital Transistor - SOT-23-3
Diodes Inc.DDTA114YCA-7-F
Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Descrições
Descrições de onsemi BC859BLT3G fornecidas pelos seus distribuidores.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
Tape & Reel (TR) Surface Mount PNP ROHS3Compliant Bipolar (BJT) Transistor 220 @ 2mA 5V 100mA 300mW 100MHz
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
BC859BLT3G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS;
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-30 V
Collector Emitter Breakdown Voltage-30 V
Collector Emitter Saturation Voltage-650 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Current Rating-100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min220
Max Collector Current100 mA
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation225 mW
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)-30 V
Dimensions
Height1.11 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade