onsemi BC856BDW1T1G
$ 0.047
Production
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | BC856BDW1T1G | 72.000 | 3K | 20h | ||||||||
| Newark | BC856BDW1T1G | 26.000 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | BC856BDW1T1G | 21.000 | 3K | |||||||||
| Arrow Electronics | BC856BDW1T1G | 2.975 | 1 | |||||||||
| Future Electronics | BC856BDW1T1G | 135.000 | 3K | Tape & Reel |
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +40.50%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para onsemi BC856BDW1T1G.
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e os modelos 3D STEP de onsemi BC856BDW1T1G direto dos nossos confiáveis parceiros.
| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | Pegada | Baixar | |
 Ultra Librarian | SímboloPegada | Baixar |
O site do parceiro será aberto em uma nova aba ao baixar os seus modelos CAD
Ao baixar os modelos CAD do Octopart, você concorda com nossos Termos e Condições e Política de Privacidade.
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-01-15
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
onsemiBC846BPDW1T1G
Bipolar Transistor Array, Complementary NPN and PNP, 65 V, 65 V, 100 mA, 100 mA, 380 mW
onsemiMUN5116DW1T1G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
onsemiMUN5115DW1T1G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
Descrições
Descrições de onsemi BC856BDW1T1G fornecidas pelos seus distribuidores.
Bipolar Transistors (BJT); BC856BDW1T1G; ON SEMICONDUCTOR; PNP; 6; 65 V; 100 mA
ON SEMI BC856BDW1T1G DUAL PNP BIPOLAR TRANSISTOR, 0.1 A, 65 V, 6-PIN SC-88
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
Trans GP BJT PNP 65V 0.2A 380mW 6-Pin SC-88 T/R / TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT363
These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT-363/SC-88 which is designed for low power surface mount applications.
TRANSISTOR, PNP, -65V, -100MA, SOT-363-6; Transistor Polarity: Dual PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -65V; Power Dissipation Pd: 380mW; DC Collector Current: -100mA; DC Current Gain hFE: 220hFE; Transistor Case Style:
TRANSISTOR, PNP, DUAL, -65V SOT-363, FULL REEL; Transistor Polarity:Dual PNP; Collector Emitter Voltage Max NPN:-; Collector Emitter Voltage Max PNP:-65V; Continuous Collector Current NPN:-; Continuous Collector Current PNP:100mA RoHS Compliant: Yes
Transistor Polarity = PNP / Configuration = Dual / Continuous Collector Current (Ic) mA = 100 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 65 / DC Current Gain (hFE) = 150 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = 80 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = 5 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Transit Frequency MHz = 100 / Power Dissipation (Pd) mW = 380 / Package Type = SOT-363 / Pins = 6 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)) mV = 650 / Base Emitter Saturation Voltage Max. (Vbe(sat)) mV = 900 / Reflow Temperature Max. °C = 260
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +40.50%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-363-6
Contact PlatingTin
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage65 V
Collector Emitter Saturation Voltage-650 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)65 V
Current Rating-100 mA
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min220
Max Breakdown Voltage65 V
Max Collector Current100 mA
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation380 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingTape and Reel
PolarityPNP
Power Dissipation380 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)-65 V
Dimensions
Height900 µm
Length2 mm
Width1.25 mm
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para onsemi BC856BDW1T1G.
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade