onsemi 3LN01M-TL-E
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 EE Concierge | SímboloPegada | ||
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-03-18
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 week ago)
LTB Date2018-06-19
LTD Date2018-12-19
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)
Peças relacionadas
onsemi3LP01M-TL-E
Tape & Reel (TR) Surface Mount P-Channel Single Mosfet Transistor 100mA Ta 100mA 150mW 130ns
Diodes Inc.DMN63D8LDW-7
Dual N-Channel 30 V 2.8 O 0.3 W SMT Enhancement Mode MosFet - SOT-363
Diodes Inc.DMN63D8LV-7
Dual N-Channel 30 V 2.8 O 0.45 W SMT Enhancement Mode MosFet - SOT-563
Descrições
Descrições de onsemi 3LN01M-TL-E fornecidas pelos seus distribuidores.
Small Signal MOSFET, 30V, 3.7Ω, 0.15A, Single N-Channel
3LN01M-TL-E N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 0.15 A, 30 V, 3-PIN MCP
Trans MOSFET N-CH 30V 0.15A 3-Pin Case MCP T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 30V 150MA SC70/MCPH3
MOSFET, N CH 30V 0.15A SOT89; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Typ Voltage Vds:30V; Cont Current Id:0.15A; On State Resistance:3.7ohm; Voltage Vgs Rds on Measurement:4V; Typ Voltage Vgs th:1.3V; Case Style:MCP; Termination Type:SMD; Power Dissipation:0.15W; Transistor Case Style:MCP
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Contact PlatingTin Bismuth
MountSurface Mount
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)150 mA
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance2.9 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time120 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)10 V
Input Capacitance7 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation150 mW
Rds On Max3.7 Ω
Rise Time65 ns
Turn-Off Delay Time155 ns
Turn-On Delay Time19 ns
Dimensions
Height1.08 mm
Length2 mm
Width1.25 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade