onsemi 2SC5566-TD-E
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-03-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP (Emitter Coupled) 50V 3A 380MHz 1.2W Sur
Descrições
Descrições de onsemi 2SC5566-TD-E fornecidas pelos seus distribuidores.
Bipolar Transistor, 50V, 4A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP
Bipolar Transistors (BJT); 2SC5566-TD-E; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 3; 50 V; 4 A
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 50V
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
General Purpose Transistors NPN Ic=4A Vceo=50V hfe=200~560 P=3.5W SOT89
200mV@ 2A,100mA NPN 1.3W 6V 1¦ÌA 100V 50V 4A SOT-89 4.5mm*2.5mm*1.5mm
TRANSISTOR, NPN, 50V, 4A, SOT89; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Typ Gain Bandwidth ft:400MHz; Power Dissipation Pd:3.5W; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:560; Transistor Case Style:SOT-89; No. of Pins:3
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Tendência de 3 meses: +5.72%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
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Especificações técnicas
Physical
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage85 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency400 MHz
Gain Bandwidth Product400 MHz
hFE Min200
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current4 A
Max Frequency1 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.3 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation1.3 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency400 MHz
Dimensions
Height1.5 mm
Length4.5 mm
Width2.5 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade