onsemi 2SC3649T-TD-E
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-06-24
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
onsemiFJC2383YTF
Tape & Reel (TR) Surface Mount NPN Bipolar (BJT) Transistor 160 @ 200mA 5V 1A 500mW 100MHz
ROHM2SD2211T100Q
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
ROHM2SD2211T100R
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Diodes Inc.ZXTN10150DZTA
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Descrições
Descrições de onsemi 2SC3649T-TD-E fornecidas pelos seus distribuidores.
Bipolar Transistor, 160V, 1.5A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP hFE = 200-400
ON SEMI 2SC3649T-TD-E NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 1.5 A, 160 V, 3-PIN PCP
160V 500mW 1.5A NPN TO-243AA Bipolar Transistors - BJT ROHS
Trans GP BJT NPN 160V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1.5A 160V
450mV@ 50mA,500mA NPN 1.5W 6V 1¦ÌA 180V 160V 1.5A SOT 4.5mm*2.5mm*1.5mm
TRANS, NPN, HIGHV, 160V, 1.5A, SOT89; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:160V; Typ Gain Bandwidth ft:120MHz; Power Dissipation Pd:500mW; DC Collector Current:1.5A; DC Current Gain hFE:400; Transistor Case Style:SOT-89; No. of Pins:3
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -63.41%
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-89
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)180 V
Collector Emitter Breakdown Voltage160 V
Collector Emitter Saturation Voltage130 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)160 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency120 MHz
Gain Bandwidth Product120 MHz
Max Collector Current1.5 A
Max Frequency120 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation500 mW
Transition Frequency120 MHz
Dimensions
Height1.5 mm
Length4.5 mm
Width2.5 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade