onsemi 2SB1215T-E
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Obsolete
Preço e estoque
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | 2SB1215T-E | 135.000 | 2778 | 13h | ||||||||
| Rochester Electronics | 2SB1215T-E | 3.490 | 11h | |||||||||
| Flip Electronics | 2SB1215T-E | 67.500 | 4d | |||||||||
| Farnell | 2SB1215T-E. | 0 | 1K | 11h | ||||||||
| Mouser | 863-2SB1215T-E | 249 | 1 | Bulk |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 Ultra Librarian | SímboloPegada | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-05-02
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 day ago)
LTB Date2022-01-08
LTD Date2022-07-08
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)
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Small Signal Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-251
Descrições
Descrições de onsemi 2SB1215T-E fornecidas pelos seus distribuidores.
Bipolar Transistor, -100V, -3A, Low VCE(sat), PNP Single, TP/TP-FA. ONSSPCDDENY1E7M;
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag
TRANSISTOR, BIPOLAR, PNP, 100V, 3A-TO251;
500mV@ 150mA,1.5A PNP 1W 6V 1¦ÌA 120V 100V 3A TO-251-3 6.5mm*2.3mm*5.5mm
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-251-3
Contact PlatingTin Bismuth
Number of Pins3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)120 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Emitter Base Voltage (VEBO)-6 V
hFE Min200
Max Collector Current3 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityPNP
Transition Frequency130 MHz
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade