onsemi 2N5884G
$ 7.6
Obsolete
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMexico
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2022-01-08
LTD Date2022-07-08
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Descrições
Descrições de onsemi 2N5884G fornecidas pelos seus distribuidores.
25 A, 80 V PNP Bipolar Power Transistor
Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-204AA, Metal, 2 Pin
Bipolar junction transistor, PNP, 25 A, THT, TO-3, 2N5884G
2N Series 80 V 25 A PNP Complementary Silicon High-Power Transistor - TO-204AA
Trans GP BJT PNP 80V 25A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
TRANSISTOR, PNP, TO-3; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80V; Transition Frequency ft: 4MHz; Power Dissipation Pd: 200W; DC Collector Current: 25A; DC Current Gain hFE: 4hFE; Transistor Case Style: T
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Especificações técnicas
Physical
Body MaterialMetal
Case/PackageTO-204-3
Contact PlatingTin
Number of Pins2
Number of Terminals2
Weight4.535924 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Current Rating-25 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency4 MHz
Gain Bandwidth Product4 MHz
hFE Min4
Max Collector Current25 A
Max Frequency4 MHz
Max Operating Temperature200 °C
Max Power Dissipation200 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation200 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency4 MHz
Voltage Rating (DC)-80 V
Dimensions
Height26.67 mm
Length39.37 mm
Width8.509 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade