onsemi 2N5657G
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Obsolete
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 EE Concierge | SímboloPegada | ||
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 days ago)
LTB Date2022-01-08
LTD Date2022-07-08
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)
Descrições
Descrições de onsemi 2N5657G fornecidas pelos seus distribuidores.
0.5 A, 350 V NPN Bipolar Power Transistor
2N Series 350 V 500 mA NPN Silicon High-Voltage Power Transistor - TO-225
Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-225AA, Plastic/Epoxy, 3 Pin
. . . designed for use in line-operated equipment such as audio output amplifiers; low-current high-voltage converters; and AC line relays.
Bipolar Transistor, Npn, 350V, To-225; Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:350V; Dc Collector Current:500Ma; Power Dissipation Pd:20W; Transistor Mounting:Through Hole; No. Of Pins:3Pins; Msl:Msl 1 - Unlimitedrohs Compliant: Yes |Onsemi 2N5657G.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +0.00%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-225
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)375 V
Collector Emitter Breakdown Voltage350 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)350 V
Current Rating3.7 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency10 MHz
Gain Bandwidth Product10 MHz
hFE Min5
Max Collector Current500 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation20 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency10 MHz
Voltage Rating (DC)250 V
Dimensions
Height6.35 mm
Length31.75 mm
Width6.35 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade