Omron EE-SH3
$ 3.31
Obsolete
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Tendência de 3 meses: Restocked
Modelos CAD
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Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para Omron EE-SH3.
Modelos CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 TraceParts | 3D | Baixar | |
 Ultra Librarian | Símbolo | Baixar |
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Descrições
Descrições de Omron EE-SH3 fornecidas pelos seus distribuidores.
Photointerrupter Transmissive 3.4mm Phototransistor 4-Pin
OMRON ELECTRONIC COMPONENTS EESH3 Transmissive Photo Interrupter, Phototransistor, Through Hole, 3.4 mm, 0.5 mm, 50 mA, 4 V
PHOTO INTERRUPTER, TRANSMISSIVE, 3.4MM; Sensor Output: Phototransistor; Sensor Mounting: Through Hole; Gap Width: 3.4mm; Aperture Width: 0.5mm; Forward Current If: 50mA; Reverse Voltage Vr: 4V; Forward Voltage: 1.2V; Product Ra
Nomes alternativos do fabricante
Omron possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Omron também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Omron Electronics
- Omron Electronics Inc-EMC Div
- Omron Automation and Safety
- Omron Electronic Components
- OMR
- OMROM
- OMRO
- OMRON INDUSTRIAL AUTOMATION
- OMRON STI
- OMRON Corporation
- OMRN
- OMRON CORP
- OMRON INDUSTRIAL
- Omron Automation
- OMRON-IA
- OMRON ELECTRONICS INC
- Omron Automation & Safety
- Omron Electronics LLC
- Omron Electronics Inc-IA Div
- Omron Electronics Inc-ECB Div
- OMRON Electronic Components LLC
- OMRON SAFETY
- OMRON ELECTRONI
- OMRONELEC
- OMRON GMBH
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: Restocked
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
MountPCB, Through Hole
Number of Pins4
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Dark Current200 nA
Fall Time4 µs
Forward Current50 mA
Forward Voltage1.2 V
Input Current30 mA
Max Collector Current20 mA
Max Input Current30 mA
Max Operating Temperature85 °C
Min Operating Temperature-25 °C
Number of Channels1
Number of Circuits1
Number of Elements1
Output ConfigurationPhototransistor
Output Voltage30 V
PackagingBulk
Peak Wavelength940 nm
Power Dissipation100 mW
Response Time4 µs
Reverse Breakdown Voltage4 V
Reverse Voltage (DC)4 V
Rise Time4 µs
Sensing Distance3.4 mm
TerminationSolder
Wavelength940 nm
Dimensions
Height10.2 mm
Length25.4 mm
Width500 µm
Fichas técnicas e documentos
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