NXP Semiconductors PMF3800SN,115
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Obsolete
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | PMF3800SN,115 | 9.000 | 2730 | |||||||||
| Rochester Electronics | PMF3800SN,115 | 9.000 | 23h | |||||||||
| Microchip USA | PMF3800SN,115 | 335 | 3500 | 19h | ||||||||
| Worldway Electronics | PMF3800SN,115 | 11.889 | 7 | Tape & Reel | 23h | |||||||
| Esaler Electronic | PMF3800SN,115 | 1.813 | 1d |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-06-19
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2014-12-31
LTD Date2015-06-30
Peças relacionadas
NXP SemiconductorsBSH111,215
NEXPERIA - BSH111,215 - MOSFET Transistor, N Channel, 335 mA, 55 V, 2.3 ohm, 4.5 V, 1 V
Descrições
Descrições de NXP Semiconductors PMF3800SN,115 fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SC-70 T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.26A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT323-3
N-channel TrenchMOS standard level FET
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Nomes alternativos do fabricante
NXP Semiconductors possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. NXP Semiconductors também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- NXP
- PHILIPS
- PHIL
- NXP USA Inc
- PHI
- PHILLIPS
- NXP SEMI
- NXP SEMICONDUCTOR
- PHILIPS/NXP
- PHILIPS SEMICONDUCTORS
- PHILIP
- NXP/PHILIPS
- PHILIPS SEMICONDUCTOR
- PHILPS
- PHILIPS COMPONENTS
- PHILIPS SEMI
- PHL
- PHLIPS
- NXP Semicon
- NXP / Freescale
- PHILL
- PHILIPS ECG
- Philips Semiconducto
- PHILLIP
- PHILI
- Philips Semiconductors
- NXP Semiconductors NV
- NXP
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)260 mA
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance4.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)15 V
Input Capacitance40 pF
Max Dual Supply Voltage60 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation560 mW
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation560 mW
Rds On Max4.5 Ω
Resistance4.5 MΩ
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade