NXP Semiconductors PHE13003C,412
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Preço e estoque
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Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para NXP Semiconductors PHE13003C,412.
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-07-29
Peças relacionadas
onsemiKSC2330OBU
Bulk Through Hole NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 70 @ 20mA 10V 100nA ICBO 1W 50MHz
Descrições
Descrições de NXP Semiconductors PHE13003C,412 fornecidas pelos seus distribuidores.
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 1-Element, NPN
Trans GP BJT NPN 400V 1.5A 3-Pin SPT Bulk
TRANS NPN 400V 1.5A SOT54
NOW WEEN - PHE13003C - POWER BIP
Nomes alternativos do fabricante
NXP Semiconductors possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. NXP Semiconductors também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- NXP
- PHILIPS
- PHIL
- NXP USA Inc
- PHI
- PHILLIPS
- NXP SEMI
- NXP SEMICONDUCTOR
- PHILIPS/NXP
- PHILIPS SEMICONDUCTORS
- PHILIP
- NXP/PHILIPS
- PHILIPS SEMICONDUCTOR
- PHILPS
- PHILIPS COMPONENTS
- PHILIPS SEMI
- PHL
- PHLIPS
- NXP Semicon
- NXP / Freescale
- PHILL
- PHILIPS ECG
- Philips Semiconducto
- PHILLIP
- PHILI
- Philips Semiconductors
- NXP Semiconductors NV
- NXP
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +0.00%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-226-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)700 V
Collector Emitter Breakdown Voltage400 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)400 V
hFE Min5
Max Breakdown Voltage400 V
Max Collector Current1.5 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.1 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation2.1 W
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade