NXP Semiconductors PBSS4350Z
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-07-14
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Descrições
Descrições de NXP Semiconductors PBSS4350Z fornecidas pelos seus distribuidores.
50 V low VCEsat NPN transistor / Trans GP BJT NPN 50V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
TRANSISTOR, NPN, SOT-223; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:NPN; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:50V; Current Ic Continuous a Max:3A; Voltage, Vce Sat Max:90mV; Power Dissipation:1.35W; Min Hfe:200; ft, Typ:100MHz; ;RoHS Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
NXP Semiconductors possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. NXP Semiconductors também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- NXP
- PHILIPS
- PHIL
- NXP USA Inc
- PHI
- PHILLIPS
- NXP SEMI
- NXP SEMICONDUCTOR
- PHILIPS/NXP
- PHILIPS SEMICONDUCTORS
- PHILIP
- NXP/PHILIPS
- PHILIPS SEMICONDUCTOR
- PHILPS
- PHILIPS COMPONENTS
- PHILIPS SEMI
- PHL
- PHLIPS
- NXP Semicon
- NXP / Freescale
- PHILL
- PHILIPS ECG
- Philips Semiconducto
- PHILLIP
- PHILI
- Philips Semiconductors
- NXP Semiconductors NV
- NXP
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-223
Contact PlatingTin
Number of Pins4
Number of Terminals4
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage290 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
hFE Min100
Max Collector Current3 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.35 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
PolarityNPN
Power Dissipation1.35 W
Transition Frequency100 MHz
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade