NXP Semiconductors MW6S010NR1
$ 24.393
EOL
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | MW6S010NR1 | 0 | 500 | Cut Tape | ||||||||
| RFMW | MW6S010NR1 | 0 | 1 | 9h | ||||||||
| Avnet | MW6S010NR1 | 0 | 500 | 10h | ||||||||
| Arrow Electronics | MW6S010NR1 | 0 | 500 | |||||||||
| Farnell | MW6S010NR1 | 0 | 500 | Cut Tape | 7h |
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: Restocked
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para NXP Semiconductors MW6S010NR1.
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e os modelos 3D STEP de NXP Semiconductors MW6S010NR1 direto dos nossos confiáveis parceiros.
| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | Pegada | Baixar |
O site do parceiro será aberto em uma nova aba ao baixar os seus modelos CAD
Ao baixar os modelos CAD do Octopart, você concorda com nossos Termos e Condições e Política de Privacidade.
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00
Introduction Date2005-04-12
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2026-09-30
LTD Date2027-09-30
Peças relacionadas
NXP SemiconductorsMRFE6S9045NR1
Single N-CDMA Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 880 MHz, 10 W Avg., 28 V
NXP SemiconductorsMRF6V2010NR1
RF Power Transistor,10 to 450 MHz, 10 W, Typ Gain in dB is 23.9 @ 220 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1732
Descrições
Descrições de NXP Semiconductors MW6S010NR1 fornecidas pelos seus distribuidores.
RF Power Transistor,450 to 1500 MHz, 10 W, Typ Gain in dB is 18 @ 960 MHz, 28 V, LDMOS, SOT1732
RF MOSFET, N CHANNEL, 68V, TO-270; Drain Source Voltage Vds:68V; RF Transistor Case:TO-270; MSL:MSL 3 - 168 hours; Termination Type:SMD; Gain:18dB; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Transistor Polarity:N Channel
RF MOSFET, N CHANNEL, 68V, TO-270; Transistor Type:RF FET; Drain Source Voltage, Vds:68V; RF Transistor Case:TO-270; Gain:18dB; Gate-Source Voltage:12V; Leaded Process Compatible:Yes; Operating Frequency Max:900MHz ;RoHS Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
NXP Semiconductors possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. NXP Semiconductors também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- NXP
- PHILIPS
- PHIL
- NXP USA Inc
- PHI
- PHILLIPS
- NXP SEMI
- NXP SEMICONDUCTOR
- PHILIPS/NXP
- PHILIPS SEMICONDUCTORS
- PHILIP
- NXP/PHILIPS
- PHILIPS SEMICONDUCTOR
- PHILPS
- PHILIPS COMPONENTS
- PHILIPS SEMI
- PHL
- PHLIPS
- NXP Semicon
- NXP / Freescale
- PHILL
- PHILIPS ECG
- Philips Semiconducto
- PHILLIP
- PHILI
- Philips Semiconductors
- NXP Semiconductors NV
- NXP
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: Restocked
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-270
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Weight529.540742 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)125 mA
Current Rating125 mA
Drain to Source Voltage (Vdss)68 V
Frequency960 MHz
Gain17.5 dB
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Max Frequency1.5 GHz
Max Operating Temperature225 °C
Max Output Power10 W
Max Power Dissipation61.4 W
Min Breakdown Voltage68 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Output Power10 W
PackagingTape and Reel
Power Dissipation61.4 W
Power Gain20 dB
Schedule B8541290080
Test Current125 mA
Test Voltage28 V
Voltage Rating68 V
Voltage Rating (DC)28 V
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para NXP Semiconductors MW6S010NR1.
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeContains Lead
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade