NXP Semiconductors BFU590QX
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00
Introduction Date2014-04-28
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2026-03-31
LTD Date2028-06-30
Peças relacionadas
ROHM2SD2661T100
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
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Diodes Inc.ZXTP25012EZTA
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ROHMDTDG23YPT100
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Descrições
Descrições de NXP Semiconductors BFU590QX fornecidas pelos seus distribuidores.
BFU590Q Series 12 V 200 mA 2 W NPN Wideband Silicon RF Transistor - SOT-89-3
Trans Gp Bjt Npn 16V 0.3A Automotive 4-Pin(3+Tab) Sot-89 T/R Rohs Compliant: Yes |NXP Semiconductors BFU590QX
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, TO-243AA
NPN 2W 3V 1nA(Typ) 30V 12V 200mA SOT-89-3 1.6mm
Trans GP BJT NPN 12V 0.2A 4-Pin SOT89 T/R
Avnet Japan
TRANS RF NPN 12V 200MA SOT89-3
RF TRANSISTOR, AUTO, NPN, 12V, SOT-89; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 12V; Transition Frequency ft: 8GHz; Power Dissipation Pd: 2W; DC Collector Current: 20; Available until stocks are exhausted
Nomes alternativos do fabricante
NXP Semiconductors possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. NXP Semiconductors também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- NXP
- PHILIPS
- PHIL
- NXP USA Inc
- PHI
- PHILLIPS
- NXP SEMI
- NXP SEMICONDUCTOR
- PHILIPS/NXP
- PHILIPS SEMICONDUCTORS
- PHILIP
- NXP/PHILIPS
- PHILIPS SEMICONDUCTOR
- PHILPS
- PHILIPS COMPONENTS
- PHILIPS SEMI
- PHL
- PHLIPS
- NXP Semicon
- NXP / Freescale
- PHILL
- PHILIPS ECG
- Philips Semiconducto
- PHILLIP
- PHILI
- Philips Semiconductors
- NXP Semiconductors NV
- NXP
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-89-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)24 V
Collector Emitter Breakdown Voltage12 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)12 V
Continuous Collector Current80 mA
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)2 V
Frequency900 MHz
Gain6.5 dB
Gain Bandwidth Product8 GHz
hFE Min60
Max Breakdown Voltage12 V
Max Collector Current200 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
PolarityNPN
Schedule B8541290080
Transition Frequency8 GHz
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade