NXP Semiconductors BFU550XAR
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00
Introduction Date2014-03-05
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2026-03-31
LTD Date2028-06-30
Descrições
Descrições de NXP Semiconductors BFU550XAR fornecidas pelos seus distribuidores.
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.04A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, TO-236AB
Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive 4-Pin SOT-143B T/R
1nA 12V 450mW 15mA 95@15mA8V 11GHz NPN -40¡Í~+150¡Í@(Tj) SOT-143B Bipolar Transistors - BJT ROHS
RF Transistor, 2 GHz, 21.5 dB, 0.75 dB NF, SOT143B, Silicon
NPN Wideband Silicon RF Transistor, SOT143B, RoHS
NXP Semiconductors SCT
NPN 450mW 3V 1nA(Typ) 30V 12V 50mA SOT-143B 1mm
Trans GP NPN 12V 0.05A 4-Pin SOT-143B T/R
Avnet Japan
BU 510 - SECURITY & CONNECTIVITY
Rf Transistor, Aec-Q101, Npn, Sot143-B; Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:12V; Transition Frequency Ft:11Ghz; Power Dissipation Pd:450Mw; Dc Collector Current:50Ma; Dc Current Gain Hfe:60Hfe; Rf Transistor Rohs Compliant: Yes |NXP Semiconductors BFU550XAR
Nomes alternativos do fabricante
NXP Semiconductors possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. NXP Semiconductors também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- NXP
- PHILIPS
- PHIL
- NXP USA Inc
- PHI
- PHILLIPS
- NXP SEMI
- NXP SEMICONDUCTOR
- PHILIPS/NXP
- PHILIPS SEMICONDUCTORS
- PHILIP
- NXP/PHILIPS
- PHILIPS SEMICONDUCTOR
- PHILPS
- PHILIPS COMPONENTS
- PHILIPS SEMI
- PHL
- PHLIPS
- NXP Semicon
- NXP / Freescale
- PHILL
- PHILIPS ECG
- Philips Semiconducto
- PHILLIP
- PHILI
- Philips Semiconductors
- NXP Semiconductors NV
- NXP
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: Restocked
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-253-4
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Terminals4
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)24 V
Collector Emitter Breakdown Voltage12 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)12 V
Continuous Collector Current15 mA
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)2 V
Frequency900 MHz
Gain21.5 dB
Gain Bandwidth Product11 GHz
hFE Min60
Max Breakdown Voltage12 V
Max Collector Current50 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation450 mW
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
PolarityNPN
Schedule B8541210080
Transition Frequency11 GHz
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade