NXP Semiconductors 2PB710AS,115
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Obsolete
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Fichas técnicas e documentos
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-09-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2009-12-31
LTD Date2010-06-30
Peças relacionadas
Toshiba2SA1162-GR,LF
Single Bipolar Transistor, PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, 3 Pins, Surface Mount
ROHMDTA115GKAT146
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
ROHMDTA144GKAT146
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Toshiba2SA1162-Y,LF
Single Bipolar Transistor, PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, 3 Pins, Surface Mount
Descrições
Descrições de NXP Semiconductors 2PB710AS,115 fornecidas pelos seus distribuidores.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236
500 mA 50 V PNP Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR TO-236
Trans GP BJT PNP 50V 0.5A 250mW 3-Pin MPAK T/R
PNP general purpose transistor
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Nomes alternativos do fabricante
NXP Semiconductors possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. NXP Semiconductors também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- NXP
- PHILIPS
- PHIL
- NXP USA Inc
- PHI
- PHILLIPS
- NXP SEMI
- NXP SEMICONDUCTOR
- PHILIPS/NXP
- PHILIPS SEMICONDUCTORS
- PHILIP
- NXP/PHILIPS
- PHILIPS SEMICONDUCTOR
- PHILPS
- PHILIPS COMPONENTS
- PHILIPS SEMI
- PHL
- PHLIPS
- NXP Semicon
- NXP / Freescale
- PHILL
- PHILIPS ECG
- Philips Semiconducto
- PHILLIP
- PHILI
- Philips Semiconductors
- NXP Semiconductors NV
- NXP
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +0.00%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-236-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage600 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Gain Bandwidth Product140 MHz
hFE Min40
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current500 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Transition Frequency140 MHz
Fichas técnicas e documentos
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