Nexperia PUMH10

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, NPN, Silicon
$ 0.139
Production

Preço e estoque

Fichas técnicas e documentos

Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para Nexperia PUMH10.

IHS

Datasheet16 páginas15 anos atrás
Datasheet0 páginashá 0 anos
Datasheet8 páginas24 anos atrás

Newark

Histórico de estoque

Tendência de 3 meses:
+0.00%

Modelos CAD

Baixe o símbolo, a pegada e os modelos 3D STEP de Nexperia PUMH10 direto dos nossos confiáveis parceiros.

FONTEeCADmCADARQUIVOS
Component Search Engine
SímboloPegada
3D
Baixar
O site do parceiro será aberto em uma nova aba ao baixar os seus modelos CAD
Ao baixar os modelos CAD do Octopart, você concorda com nossos Termos e Condições e Política de Privacidade.

Cadeia de suprimentos

Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date2000-08-02
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

Descrições

Descrições de Nexperia PUMH10 fornecidas pelos seus distribuidores.

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, NPN, Silicon
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 6-Pin TSSOP
Nexperia NPN Digital Transistor SOT-363 (SC-88) SMD Ic 100mA Vceo 50V
Bipolar (BJT) single-bipolar transistor
100 mA 50 V 2 CHANNEL NPN Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR
Bias Resistor Transistor; Transistor Type:Small Signal Digital (BRT); Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:50V; Base Input Resistor, R1:2.2kohm; Base-Emitter Resistor, R2:47kohm; Resistor Ratio, R1/R2:21 ;RoHS Compliant: Yes
TRANSISTOR, DIGITAL, DUAL, SOT-363; Module Configuration:Dual; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:200mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:100; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-363; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:100mV; Continuous Collector Current Ic Max:100A; Current Ic Continuous a Max:100A; Current Ic hFE:10mA; Full Power Rating Temperature:25°C; Hfe Min:100; No. of Transistors:2; Package / Case:SOT-363; Power Dissipation Pd:200mW; Power Dissipation Ptot Max:300mW; Resistance R1:2.2kohm; Resistance R1 PNP:2.2kohm; Resistance R2:47kohm; Termination Type:SMD; Transistor Type:Bias Resistor (BRT); Voltage Vcbo:50V

Nomes alternativos do fabricante

Nexperia possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Nexperia também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

  • Nexperia USA Inc
  • NEXPER
  • Nexperia BV
  • NXP NEXPERIA
  • Nexperia USA
  • NEXP
  • Nexperi
  • NEXPERIA / NXP
  • Nexperia Inc
  • Nexperia/NXP Semiconductors
  • NEXPERIA(Nexperia)
  • NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
  • Nexperia(Ahn Se)
  • Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
  • NEXPERIA/N
  • NEXPERIA/PHILIPS
  • NEXPERIA USA INC (UA)
  • NEX-NXP
  • NEXPERIA USA INC (VA)
  • Infineon_Nexperia
  • NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)