Nexperia PSMN4R6-60BS,118
$ 1.091
Production
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | PSMN4R6-60BS,118 | 2.284 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | PSMN4R6-60BS,118 | 3.200 | 3200 | |||||||||
| Arrow Electronics | PSMN4R6-60BS,118 | 1.989 | 103 | |||||||||
| Rochester Electronics | PSMN4R6-60BS,118 | 45.788 | 9h | |||||||||
| Future Electronics | PSMN4R6-60BS,118 | 2.400 | 800 | Tape & Reel |
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0 peça disponível
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SímboloPegada |
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-03-22
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
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Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Descrições
Descrições de Nexperia PSMN4R6-60BS,118 fornecidas pelos seus distribuidores.
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
N-channel 60 V, 4.4 mΩ standard level MOSFET in D2PAK
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Mosfet, N-Ch, 60V, 100A, To-263 Rohs Compliant: Yes |Nexperia PSMN4R6-60BS,118
Nomes alternativos do fabricante
Nexperia possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Nexperia também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +93.08%
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance4.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time22 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.426 nF
Max Dual Supply Voltage60 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation211 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation211 W
Rds On Max4.4 mΩ
Rise Time24 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time58 ns
Turn-On Delay Time26 ns
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade