Nexperia PSMN2R4-30MLDX
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2017-03-30
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
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Descrições
Descrições de Nexperia PSMN2R4-30MLDX fornecidas pelos seus distribuidores.
N-channel 30 V, 2.4 mΩ logic level MOSFET in LFPAK33 using NextPowerS3 Technology
Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 30V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
91W(Tc) 20V 2.2V@1mA 51nC@ 10 V 1N 30V 2.4m¦¸@ 25A,10V 70A 3.264nF@15V LFPAK-33 2.6mm*900¦Ìm
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N-Channel MOSFET, 30V, 2.4A, SOT-23
RS APAC
MOSFETs; PSMN2R4-30MLDX; NEXPERIA; 30 V; 70 A; 20 V; 91 W
MOSFET, N CH, 30V, 70A, SOT-1210-5; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 70A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.002ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1.7V; Power Dissipation Pd: 91W; Transistor Case Style: SOT-1210; No. of Pins: 5Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2018); Operating Temperature Min: -55°C
Nomes alternativos do fabricante
Nexperia possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Nexperia também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT
Contact PlatingTin
Number of Pins8
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)70 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance3.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.264 nF
Max Dual Supply Voltage30 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation91 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation91 W
Rds On Max2.4 mΩ
Rise Time23 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Conformidade
Classificação ambiental
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade