Nexperia PSMN1R4-40YLDX
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Modelos CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 SnapEDA | Pegada | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China, Philippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2017-03-31
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
Descrições
Descrições de Nexperia PSMN1R4-40YLDX fornecidas pelos seus distribuidores.
N-channel 40 V, 1.4 mΩ, 240 A logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPower-S3 technology
MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK / Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 100 A, 0.00112 ohm, SOT-669, Surface Mount
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.00185ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-235
MOSFET, N CH, 40V, 100A, SOT-669-4; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.00112ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.7
Nomes alternativos do fabricante
Nexperia possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Nexperia também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +227%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-669-4
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance1.85 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6.661 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation238 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max1.4 mΩ
Rise Time49 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time47 ns
Turn-On Delay Time39 ns
Fichas técnicas e documentos
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