Nexperia PMN16XNEX
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 SnapEDA | Pegada | 3D | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2017-03-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
Peças relacionadas
InfineonBSL202SNH6327XTSA1
Mosfet, N-Ch, 20V, 150Deg C, 2W Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSL202SNH6327XTSA1
VishaySI3407DV-T1-GE3
Si3407DV Series P-Channel 20 V 0.024 Ohm 4.2 W Surface Mount Mosfet - TSOP-6
VishaySI3460DDV-T1-GE3
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7.9A; 0.028ohm; 2.7W; -55+150 deg.C; SMD; TSOP6
Descrições
Descrições de Nexperia PMN16XNEX fornecidas pelos seus distribuidores.
Transistor MOSFET N-CH 20V 6.9A 6-Pin SOT-457 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 6.9A 6-Pin TSOP T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 20V, 6-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
ELITE PROGRAM PART - PMN16XNE/SOT457/SC-74
PMN16XNE - 20 V, N-CHANNEL TRENC
Mosfet, N-Ch, 20V, 6.9A, Sot-457-6; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6.9A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(On):0.015Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:650Mv; Power Rohs Compliant: Yes |Nexperia PMN16XNEX
Nomes alternativos do fabricante
Nexperia possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Nexperia também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -1.45%
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTSOP
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.9 A
Drain to Source Resistance19 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Input Capacitance1.136 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation550 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements6
Rds On Max19 mΩ
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade