Nexperia PMGD280UN,115
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-02-10
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
Peças relacionadas
NXP SemiconductorsPMDPB38UNE,115
Tape & Reel (TR) Surface Mount 2N-Channel (Dual) 6 Mosfet Array 4A 510mW 20V -55C~150C TJ
Descrições
Descrições de Nexperia PMGD280UN,115 fornecidas pelos seus distribuidores.
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 0.87A 6-Pin SC-88 T/R
Dual N-Channel 20 V 660 mOhm 0.89 nC 0.4 W Surface Mount MOSFET - SOT-363
Trans MOSFET N-CH 20V 0.87A 6-Pin SOT-363 T/R
870 mA 20 V 2 CHANNEL N-CHANNEL Si SMALL SIGNAL MOSFET
MOSFET, N-KANAL, TRENCH DL, 20V, SOT363
Pmgd280Un/Sot363/Sc-88 Rohs Compliant: Yes |Nexperia PMGD280UN,115.
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.87A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Dual N-channel TrenchMOS ultra low level FET
Nexperia NMOS, Vds=20 V, 870 mA, SOT-363, , 6
MOSFET, N CH, TRENCH DL, 20V, SOT363; Module Configuration:Dual; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:200mA; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):340mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:700mV; Power Dissipation Pd:400mW; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-363; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:870mA; Package / Case:SOT-363; Power Dissipation Pd:400mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:Enhancement; Voltage Vds Typ:20V; Voltage Vgs Max:8V; Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V
Nomes alternativos do fabricante
Nexperia possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Nexperia também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -5.46%
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT
Contact PlatingTin
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)870 mA
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance340 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationDual
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance45 pF
Max Dual Supply Voltage20 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation400 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingTape & Reel
Power Dissipation400 mW
Rds On Max340 mΩ
Resistance340 MΩ
Rise Time10 ns
Schedule B8541210080
Threshold Voltage700 mV
Turn-Off Delay Time18.5 ns
Turn-On Delay Time4.5 ns
Dimensions
Height1 mm
Length2.2 mm
Width1.35 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade