Nexperia PMEG6030EP,115
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4,860,880
3,743,803
Authorized Distributors
6
3
Mount
Surface Mount
-
Case/Package
-
-
Forward Voltage
530 mV
530 mV
Reverse Voltage (DC)
-
-
Forward Current
3 A
-
Max Reverse Leakage Current
200 µA
-
Reverse Recovery Time
-
-
Capacitance
360 pF
-
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-01-21
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
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DIODE, SCHOTTKY, 3A, 60V, TO-277A-3; Diode Type:Schottky; Diode Configuration:Du
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 30V V(RRM), Silicon, DO-220AA
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 10V V(RRM), Silicon
STMicroelectronicsSTPS3L45AF
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 45V V(RRM), Silicon
Descrições
Descrições de Nexperia PMEG6030EP,115 fornecidas pelos seus distribuidores.
PMEG6030 Series 60 V 3 A Low VF MEGA Schottky Barrier Rectifier - SOD-128
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 60V V(RRM), Silicon
DIODE, SCHOTTKY REC, 60V, 3A, SOD128; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 60V; Forward Current If(AV): 3A; Diode Configuration: Single; Diode Case Style: SOD-128; No. of Pins: 2Pins; Forward Voltage VF Max: 530mV; Forward Surge Current Ifsm Max: 50A; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: PMEG6 Series; Automotive Qualification Standard: -; SVHC: Lead (27-Jun-2018); Diode Type: Schottky; Operating Temperature Min: -55°C; Operating Temperature Range: -55°C to +150°C; Semiconductor Technology: Si
Configuration = Single / Peak Average Forward Current (If(AV)) A = 3 / Reverse Repetitive Voltage Max. (Vrrm) V = 60 / Forward Voltage (Vf) mV = 460 / Reverse Current Max. uA = 4 / Peak Non-Repetitive Surge Current (Itsm) A = 50 / Power Dissipation (Pd) mW = 625 / Capacitance pF = 360 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SOD-128 / Pins = 2 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Thermal Resistance K/W = 200
Nomes alternativos do fabricante
Nexperia possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Nexperia também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
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Especificações técnicas
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins2
Number of Terminals2
Technical
Ambient Temperature Range High150 °C
Average Rectified Current3 A
Capacitance360 pF
Element ConfigurationSingle
Forward Current3 A
Forward Voltage530 mV
Max Forward Surge Current (Ifsm)50 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Output Current3 A
Max Power Dissipation625 mW
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm)60 V
Max Reverse Leakage Current200 µA
Max Reverse Voltage (DC)60 V
Max Surge Current50 A
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Peak Non-Repetitive Surge Current50 A
Peak Reverse Current200 µA
Reverse Standoff Voltage60 V
Reverse Voltage60 V
Schedule B8541100050
Dimensions
Height1.1 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade