Nexperia PIMT1,115
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-12-24
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
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Integrated Zener Diode and NPN Bipolar Transistor 6-Pin TSOP T/R
NXP SemiconductorsPVR100AD-B3V3,115
Integrated Zener Diode and NPN Bipolar Transistor 6-Pin TSOP T/R
NXP SemiconductorsPMEM4020ND,115
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Descrições
Descrições de Nexperia PIMT1,115 fornecidas pelos seus distribuidores.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
PNP general purpose double transistor
Trans GP BJT PNP 40V 0.1A 6-Pin TSOP T/R
100 mA 40 V 2 CHANNEL PNP Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR
Bipolar Transistor Array; Module Configuration:Dual; Transistor Polarity:P Channel; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-40V; Transition Frequency Typ ft:100MHz; Power Dissipation Pd:600mW; DC Collector Current:-100mA ;RoHS Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
Nexperia possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Nexperia também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTSOP
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight4.535924 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage40 V
Collector Emitter Saturation Voltage200 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min120
Max Breakdown Voltage40 V
Max Collector Current100 mA
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements2
PolarityPNP
Power Dissipation600 mW
Transition Frequency100 MHz
Dimensions
Height1 mm
Length3.1 mm
Width1.7 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade