Nexperia PDTC143ET-QR
$ 0.051
Production
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | PDTC143ET-QR | 0 | 1 | 19h | ||||||||
| Newark | PDTC143ET-QR | 0 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | PDTC143ET-QR | 0 | 60K | 2d | ||||||||
| Farnell | PDTC143ET-QR | 0 | 5 | Cut Tape | 22h | |||||||
| element14 APAC | PDTC143ET-QR | 0 | 5 | Cut Tape | 11h |
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -100%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para Nexperia PDTC143ET-QR.
Modelos CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
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Descrições
Descrições de Nexperia PDTC143ET-QR fornecidas pelos seus distribuidores.
NPN Resistor-Equipped Transistor (RET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mount
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
Transistor Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R
50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistor; R1 = 4.7 kΩ, R2 = 4.7 kΩ
Transistor, Npn, 50V, 0.1A, Sot-23 Rohs Compliant: Yes |Nexperia PDTC143ET-QR
Nomes alternativos do fabricante
Nexperia possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Nexperia também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -100%
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Especificações técnicas
Physical
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Saturation Voltage150 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
hFE Min30
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Transition Frequency230 MHz
Fichas técnicas e documentos
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