Nexperia BC859B,215
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | BC859B,215 | 8.373.386 | 12500 | |||||||||
| Rochester Electronics | BC859B,215 | 8.373.386 | 10h | |||||||||
| TME | BC859B.215 | 330 | 1 | 2h | ||||||||
| DigiKey Marketplace | 2156-BC859B,215-954-ND | 8.373.386 | 7407 | Bulk | ||||||||
| Newark | BC859B,215 | 0 | 5 | Cut Tape |
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 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
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Stock
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4,091,914
Authorized Distributors
6
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-23
SOT-23
Polarity
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
30 V
30 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
Transition Frequency
100 MHz
150 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
650 mV
650 mV
hFE Min
220
200
Power Dissipation
250 mW
310 mW
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-09-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
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Descrições
Descrições de Nexperia BC859B,215 fornecidas pelos seus distribuidores.
BC859 Series 30 V 100 mA SMT PNP General Purpose Transistor - SOT-23
In a Pack of 100, Nexperia BC859B, 215 PNP Transistor, 100 mA, 30 V, 3-Pin SOT-23
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Nomes alternativos do fabricante
Nexperia possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Nexperia também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)30 V
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Saturation Voltage650 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min220
Max Breakdown Voltage30 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation250 mW
Schedule B8541210080
TerminationSMD/SMT
Transition Frequency100 MHz
Dimensions
Height1 mm
Length3 mm
Width1.4 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade