Nexperia BC847QAPNZ
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Preço e estoque
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Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | BC847QAPNZ | 8.120 | 4214 | |||||||||
| Rochester Electronics | BC847QAPNZ | 1.760.561 | 5h | |||||||||
| TME | BC847QAPNZ | 0 | 1 | 18h | ||||||||
| Newark | BC847QAPNZ | 0 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | BC847QAPNZ | 0 | 25K | 7h |
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 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | Pegada | Baixar | |
 Ultra Librarian | SímboloPegada | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date2013-07-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
Peças relacionadas
Diodes Inc.BC847PN-7-F
BC847PN Series NPN/PNP 45 V 200 mW Small Signal Transistor Surface Mount-SOT-363
Diodes Inc.BC857BT-7-F
BC857BT Series PNP 45 V 150 mW Small Signal Transistor Surface Mount - SOT-523
onsemiMMBTA20LT1G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
onsemiMMBTA20LT1
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
Descrições
Descrições de Nexperia BC847QAPNZ fornecidas pelos seus distribuidores.
BC847 Series NPN/PNP 350 mW 45 V 100 mA General Purpose Transistor - DFN-1010-6
TRANS NPN/PNP 45V 0.1A 6DFN / Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 45V 100mA 100MHz 350mW Surface Mount DFN1010B-6
Bipolar Array, Npn/Pnp, 45V, Dfn1010B Rohs Compliant: Yes |Nexperia BC847QAPNZ
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 350mW Automotive 6-Pin DFN-B EP T/R
45V 350mW 100mA 1 NPN1 PNP DFN1010B-6 Bipolar Transistors - BJT ROHS
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
Nomes alternativos do fabricante
Nexperia possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Nexperia também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
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Especificações técnicas
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Terminals6
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage45 V
Collector Emitter Saturation Voltage300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Continuous Collector Current100 mA
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min200
Max Breakdown Voltage45 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation350 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PolarityNPN, PNP
Power Dissipation250 mW
Transition Frequency100 MHz
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade