Nexperia BC847BM,315
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | BC847BM.315 | 0 | 1 | 6h | ||||||||
| Newark | BC847BM,315 | 0 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | BC847BM,315 | 0 | 10K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | BC847BM,315 | 0 | 40K | 8h | ||||||||
| element14 APAC | BC847BM,315 | 0 | 5 | Cut Tape | 43m |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-04-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
Peças relacionadas
Diodes Inc.BC847BLP-7
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Diodes Inc.2DC4617QLP-7
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Descrições
Descrições de Nexperia BC847BM,315 fornecidas pelos seus distribuidores.
TRANS NPN 45V 0.1A SOT883 / Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 100 mA 100MHz 250 mW Surface Mount SOT-883
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive 3-Pin DFN T/R
400mV@ 5mA,100mA NPN 250mW 6V 15nA 50V 45V 100mA SOT-883 1.02mm*620¦Ìm*470¦Ìm
TRANSISTOR, AEC-Q101, NPN, 45V, SC-101; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 45V; Transition Frequency ft: 100MHz; Power Dissipation Pd: 250mW; DC Collector Current: 100mA; DC Current Gain hFE: 110hFE;
Nomes alternativos do fabricante
Nexperia possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Nexperia também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDFN
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage45 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min200
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation250 mW
Transition Frequency100 MHz
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade