Renesas CM600DU-24F

Insulated Gate Bipolar Transistor, 600A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
NRND

Preço e estoque

Fichas técnicas e documentos

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Newark

Datasheet4 páginas17 anos atrás

iiiC

Cadeia de suprimentos

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-01-08
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)

Descrições

Descrições de Renesas CM600DU-24F fornecidas pelos seus distribuidores.

Insulated Gate Bipolar Transistor, 600A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
PLC Direct is not an authorized distributor. We offer a broad range of in-stock products with minimal lead time.
IGBT MOD 1200V 600A 1540W
POWER IGBT TRANSISTOR
Igbt, Module, 1.2Kv, 600A; Continuous Collector Current:600A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.95V; Power Dissipation:1.54Kw; Operating Temperature Max:150°C; Igbt Termination:Tab; Collector Emitter Voltage Max:1.2Kv Rohs Compliant: No |Mitsubishi Electric CM600DU-24F

Imagens

Nomes alternativos do fabricante

Renesas possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Renesas também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

  • Renesas Electronics
  • Renesas Electronics America Inc
  • Renesas Electronics America
  • RENESA
  • REN
  • RENES
  • RENESAS TECHNOLOGY CORP
  • RENESAS TECHNOLOGY
  • Renesas Electronics Corporation
  • RENESAS ELECTRONICS CORP
  • RENSAS
  • RENASAS
  • Renesas / Intersil
  • RNS
  • RENESAS-PB
  • RENESASTEC
  • RENESES
  • Renesas Technology America
  • Renesas Design Germany GmbH
  • Renesas / IDT
  • RENESASE
  • RENESAS TECHNOLOGY HONG KONG
  • Renesas Electronics Operations Services Limited
  • RENEASAS
  • RENESAS/M

Números alternativos de peça

Esta peça pode ser conhecida por estes números alternativos de peça:

  • CM600DU24F