Renesas CM200DY-12NF
$ 107.35
Obsolete
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Fichas técnicas e documentos
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Descrições
Descrições de Renesas CM200DY-12NF fornecidas pelos seus distribuidores.
Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
Trans IGBT Module N-CH 600V 200A 650W 4-Pin
IGBT MODULE, 600V, 200A; DC Collector Cu; IGBT MODULE, 600V, 200A; DC Collector Current: 200A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 600V; Power Dissipation Pd: 650W; Junction Temperature, Tj Max: 150°C; IGBT Termina
Igbt Module, 600V, 200A; Transistor, Polaridad:Canal N; Corriente De Colector Dc:200A; Tensión De Saturación Colector-Emisor Vce(On):600V; Disipación De Potencia Pd:650W; Tensión Colector Emisor V(Br)Ceo:600V; Núm. De Contactos:7 |Mitsubishi Electric CM200DY-12NF
Nomes alternativos do fabricante
Renesas possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Renesas também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Renesas Electronics
- Renesas Electronics America Inc
- Renesas Electronics America
- RENESA
- REN
- RENES
- RENESAS TECHNOLOGY CORP
- RENESAS TECHNOLOGY
- Renesas Electronics Corporation
- RENESAS ELECTRONICS CORP
- RENSAS
- RENASAS
- Renesas / Intersil
- RNS
- RENESAS-PB
- RENESASTEC
- RENESES
- Renesas Technology America
- Renesas Design Germany GmbH
- Renesas / IDT
- RENESASE
- RENESAS TECHNOLOGY HONG KONG
- Renesas Electronics Operations Services Limited
- RENEASAS
- RENESAS/M
Especificações técnicas
Physical
Number of Terminals7
Technical
Collector Emitter Saturation Voltage2.2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Max Collector Current200 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation650 W
Number of Elements2
Fichas técnicas e documentos
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