Microchip TN2510N8-G
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | TN2510N8-G | 1.322 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | TN2510N8-G | 2.000 | 2K | 2d | ||||||||
| Arrow Electronics | TN2510N8-G | 2.000 | 2K | |||||||||
| Onlinecomponents.com | TN2510N8-G | 5.900 | 500 | Bulk | ||||||||
| Master Electronics | TN2510N8-G | 5.900 | 500 |
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Cadeia de suprimentos
Projected EOL Date2034-09-20
Country of AssemblyChina, Taiwan
Country of FabricationUnited States of America
Country of OriginChina, Taiwan
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.0095
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 day ago)
Manufacturer Lifecycle StatusREL (Last Updated: 1 day ago)
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N-Channel 60 V 0.25 Ohm Surface Mount Enhancement Mode MOSFET - SOT-89
onsemiPCP1405-TD-H
MOSFET N-CH 250V 0.6A SOT89 / Trans MOSFET N-CH 250V 0.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Descrições
Descrições de Microchip TN2510N8-G fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel 100 V 1.5 O Surface Mount Logic Level Mosfet - SOT-89
Trans MOSFET N-CH 100V 0.73A 3-Pin(2+Tab) SOT-89
1.6W(Ta) 20V 2V@1mA 1N 100V 1.5¦¸@ 750mA,10V 730mA 125pF@25V SOT-89,TO-243AA 1.6mm
Power Field-Effect Transistor, 0.73A I(D), 100V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-243AA
MOSFET, N-CH, 100V, 0.73A, SOT-89; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 730mA; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2V; Powe
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) mA = 730 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) Ohm = 1.5 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 10 / Rise Time ns = 10 / Turn-OFF Delay Time ns = 20 / Turn-ON Delay Time ns = 10 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SOT-89 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / Packaging = Tape & Reel / Power Dissipation (Pd) W = 1.6
Nomes alternativos do fabricante
Microchip possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Microchip também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Microchip Technology
- MICROCHIP TECHNOLOGY INC
- MICROCHI
- MICROC
- MICROCH
- MICROCHIP TECH
- MCHP
- MCRCH
- MCP
- MICROHIP
- MICROSHIP
- MICCHP
- MICROCHP
- MTech
- Microchip Technology / Atmel
- Microchip Technologies
- Microchip / Microsemi
- MICORCHIP
- MICHROCHIP
- MICROCIHIP
- Atmel/Microchip
- MICRIOCHIP
- Atmel (Microchip Technology)
- MICROCHIP (ATMEL)
- MICROCHIP TECHNOLOGY (VA)
- Microchip Technology Inc.
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-89
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Weight52.786812 mg
Technical
Ambient Temperature Range High150 °C
Continuous Drain Current (ID)730 mA
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance1.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
HS Code8541.29.0055, 8541.29.0095
Input Capacitance125 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.6 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.6 W
Rds On Max1.5 Ω
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height1.6 mm
Length4.6 mm
Width2.6 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade