Microchip LND150N8-G
$ 0.663
Production
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -50.45%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para Microchip LND150N8-G.
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e os modelos 3D STEP de Microchip LND150N8-G direto dos nossos confiáveis parceiros.
| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | Pegada | 3D | Baixar |
 Ultra Librarian | SímboloPegada | Baixar |
O site do parceiro será aberto em uma nova aba ao baixar os seus modelos CAD
Ao baixar os modelos CAD do Octopart, você concorda com nossos Termos e Condições e Política de Privacidade.
Cadeia de suprimentos
Projected EOL Date2034-02-24
Country of AssemblyChina, Philippines, Taiwan
Country of FabricationUnited States of America
Country of OriginChina, Philippines, Taiwan
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8542.39.0060
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 22 hours ago)
Manufacturer Lifecycle StatusREL (Last Updated: 22 hours ago)
Peças relacionadas
Diodes Inc.ZXMN6A11ZTA
ZXMN6A11Z Series 60 V 0.12 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-89
Diodes Inc.ZXMN6A07ZTA
N-Channel 60 V 0.25 Ohm Surface Mount Enhancement Mode MOSFET - SOT-89
Diodes Inc.ZXMN10A07ZTA
ZXMN10A07Z Series 100 V 0.7 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-89
Descrições
Descrições de Microchip LND150N8-G fornecidas pelos seus distribuidores.
Transistor MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin (3+Tab) SOT-89
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 30 mA, 850 ohm, SOT-89, Surface Mount
Mosfet Transistor, N Channel, 30 Ma, 500 V, 850 Ohm Rohs Compliant: Yes |Microchip Technology LND150N8-G
MOSFET, N CH, 500V, 0.03A, SOT-89-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 30mA; Drain Source Voltage Vds: 500V; On Resistance Rds(on): 850ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 0V; Threshold Voltage Vgs: -; Pow
Power Field-Effect Transistor, 0.03A I(D), 1000ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-243AA
Nomes alternativos do fabricante
Microchip possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Microchip também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Microchip Technology
- MICROCHIP TECHNOLOGY INC
- MICROCHI
- MICROC
- MICROCH
- MICROCHIP TECH
- MCHP
- MCRCH
- MCP
- MICROHIP
- MICROSHIP
- MICCHP
- MICROCHP
- MTech
- Microchip Technology / Atmel
- MICROCIHIP
- Microchip Technologies
- Microchip / Microsemi
- MICORCHIP
- MICHROCHIP
- Atmel/Microchip
- MICRIOCHIP
- Atmel (Microchip Technology)
- MICROCHIP (ATMEL)
- MICROCHIP TECHNOLOGY (VA)
- Microchip Technology Inc.
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -50.45%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-89
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Weight52.786812 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)30 mA
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance850 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time450 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
HS Code8541.29.0055, 8542.39.0090
Input Capacitance10 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.6 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation1.6 W
Rds On Max1 kΩ
Rise Time450 ns
Schedule B8542390000
Turn-Off Delay Time100 ns
Turn-On Delay Time90 ns
Dimensions
Height1.6 mm
Length4.6 mm
Width2.6 mm
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para Microchip LND150N8-G.
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade