Microchip APT20M45BVRG
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | Pegada | 3D | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Projected EOL Date2044-04-30
Country of AssemblyPhilippines
Country of FabricationJapan
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.0095
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 day ago)
Manufacturer Lifecycle StatusREL (Last Updated: 1 day ago)
Peças relacionadas
InfineonIRFP4332PBF
MOSFET Operating temperature: -40...175 °C Housing type: TO-247 Power dissipation: 360 W
InfineonIRFP260NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 0.04Ohm;ID 50A;TO-247AC;PD 300W;VGS +/-20V
InfineonIRFP4227PBF
MOSFET Operating temperature: -40...175 °C Housing type: TO-247 Power dissipation: 330 W
Descrições
Descrições de Microchip APT20M45BVRG fornecidas pelos seus distribuidores.
Mosfet Mos5 200 V 45 Mohm To-247 3 To-24; |Microchip Technology APT20M45BVRG
Trans MOSFET N-CH 200V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
MOSFET MOS 5 200 V 45 mOhm TO-247
300W(Tc) 30V 4V@1mA 195nC@ 10V 1individualNChannel 200V 45mΩ@ 500mA,10V 4.86nF@25V TO-247 Through hole mounting
Nomes alternativos do fabricante
Microchip possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Microchip também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Microchip Technology
- MICROCHIP TECHNOLOGY INC
- MICROCHI
- MICROC
- MICROCH
- MICROCHIP TECH
- MCHP
- MCRCH
- MCP
- MICROHIP
- MICROSHIP
- MICCHP
- MICROCHP
- MTech
- Microchip Technology / Atmel
- MICROCIHIP
- Microchip Technologies
- Microchip / Microsemi
- MICORCHIP
- MICHROCHIP
- Atmel/Microchip
- MICRIOCHIP
- Atmel (Microchip Technology)
- MICROCHIP (ATMEL)
- MICROCHIP TECHNOLOGY (VA)
- Microchip Technology Inc.
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +1291%
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)56 A
Current Rating56 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance45 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)200 V
Fall Time7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
HS Code8541.29.0055, 8541.29.0095
Input Capacitance4.86 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation300 W
Rds On Max45 mΩ
Rise Time14 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time43 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Voltage Rating (DC)200 V
Dimensions
Height25.96 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade