MACOM CGHV59070P
$ 473.944
Production
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Richardson RFPD | CGHV59070P | Contato | 25 | 8h | ||||||||
| Microchip USA | CGHV59070P | 501 | 10 | Tray | 3d | |||||||
| Worldway Electronics | CGHV59070P | 13.402 | 7 | Tray | 1d | |||||||
| SD Chips | CGHV59070P | Contato | >1wk |
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para MACOM CGHV59070P.
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-09-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Recursos de engenharia
Veja kits de avaliação e designs de referência de MACOM CGHV59070P.
Projetos de referência
Descrições
Descrições de MACOM CGHV59070P fornecidas pelos seus distribuidores.
70-W; 4500 to 5900-MHz; internally matched GaN HEMT for C-Band Radar Systems
RF Amp Single Power Amp 5.9GHz 150V 3-Pin Case 440170
Aerospace & Defense, 50 V, 5.9 GHz, 70W, Pill, RoHS
Wolfspeed SCT
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET
70W, GAN HEMT, 50V, 5.2-5.9GHZ,
Nomes alternativos do fabricante
MACOM possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. MACOM também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- MACOM Technology Solutions
- M/A COMM
- TYCO M/A-COM
- MACOM Technology Solutions Inc
- PICO MACOM
- M/A COM INC
- MNDSPEED
- M/A-COMO
- M/A-COM TECH SOLUTIONS
- Metelics (MACOM Technology Solutions)
- MACOM TECHNOLOGY
- TE/MACOM
- Omni Spectra / M/A-Com
- M/A-COM LTD
- M/A-COM Technology Soluti
- M/A-Com (Tyco - M/A-Com)
- MINDSPEED
- MACOM / SPECTRA
- MACOM/MINDSPEED
- M/A COM INTEGRATED
- MACOM (Metelics)
- MindspeedTechnologies
- MACOM Datasheet
- COBHAM PLC
- MICROMETRICS INC
- MA-COM
Especificações técnicas
Physical
Body MaterialCeramic
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage125 V
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Efficiency50 %
Frequency4.5 GHz
Gain15.55 dB
Gate to Source Voltage (Vgs)-10 V
Max Frequency5.9 GHz
Max Junction Temperature (Tj)225 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Output Power70 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Voltage Rating50 V
Fichas técnicas e documentos
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