Littelfuse IXTT26N50P
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Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-10-22
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Descrições
Descrições de Littelfuse IXTT26N50P fornecidas pelos seus distribuidores.
MOSFET N-CH 500V 26A TO268 / N-Channel 500 V 26A (Tc) 400W (Tc) Surface Mount TO-268AA
Disc Mosfet N-Ch Std-Polar To-268Aa/ Tube |Littelfuse IXTT26N50P
Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(2+Tab) TO-268
Polar™ Series - 100V - 1200V N-Channel Standard Power MOSFETs, TO-268, RoHS
Littelfuse SCT
400W(Tc) 30V 5.5V@ 250¦ÌA 65nC@ 10V 1N 500V 230m¦¸@ 13A,10V 26A 3.6nF@25V TO-268-3 14mm*16.05mm*5.1mm
Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 500V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-268AA
Nomes alternativos do fabricante
Littelfuse possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Littelfuse também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- LITTLEFUSE
- Littelfuse Inc
- LITTELFU
- LITTEL
- LITTELFUS
- LIT
- LITTELF
- LITTLE
- LITT
- LITTLEFUSE INC
- LTF
- LTL
- LFUSE
- LIF
- L/F
- LITTLEFUS
- LITTLEFU
- LITTEIFUSE
- Littelfuse/Commercial Vehicle Products
- LTFUSE
- LITTELFUSE FAR EAST PTE LTD
- Hartland Controls / Littelfuse
- LITL
- Littelfuse - Raychem
- LITTELFUSE/WICKMANN
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-268
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)26 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance230 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance3.6 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation400 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation400 W
Rds On Max230 mΩ
Reverse Recovery Time300 ns
Rise Time25 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time58 ns