Littelfuse IXTT110N10L2
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-01-22
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 8 months ago)
Descrições
Descrições de Littelfuse IXTT110N10L2 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel 100 V 18 mOhm 600 W SMT Power Mosfet - TO-268
L2™ Series - 75V - 600V N-Channel Linear Power MOSFETs with Extended FBSOAs, TO-268, RoHS
Littelfuse SCT
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) TO-268
MOSFET Linear Extended FBSOA Power MOSFET
Disc Mosfet N-CH Linear L2 TO-268AA
Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-268AA
600W(Tc) 20V 4.5V@ 250µA 260nC@ 10 V 1individualNChannel 100V 18mΩ@ 55A,10V 110A 10.5nF@25V TO-268AA SMD mount
Mosfet, N-Ch, 100V, 110A, To-268; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:110A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4.5V Rohs Compliant: Yes |Littelfuse IXTT110N10L2
Nomes alternativos do fabricante
Littelfuse possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Littelfuse também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- LITTLEFUSE
- Littelfuse Inc
- LITTELFU
- LITTEL
- LITTELFUS
- LIT
- LITTELF
- LITTLE
- LITT
- LITTLEFUSE INC
- LTF
- LTL
- LFUSE
- LIF
- L/F
- LITTLEFUS
- LITTLEFU
- LITTEIFUSE
- Littelfuse/Commercial Vehicle Products
- LTFUSE
- LITTELFUSE FAR EAST PTE LTD
- Hartland Controls / Littelfuse
- LITL
- Littelfuse - Raychem
- LITTELFUSE/WICKMANN
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: Restocked
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-268
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)110 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance18 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time24 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance10.5 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation600 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation600 W
Rds On Max18 mΩ
Reverse Recovery Time230 ns
Rise Time130 ns
Turn-Off Delay Time99 ns